金刚石表面Ar离子溅射效应的电子能谱分析

摘要：

用X射线光电子能谱(XPS)对微波等离子体(MPCVD)合成的金刚石进行了Ar离子溅射效应原位分析.原始表面的C1s光电子峰位于285.80 eV,随着溅射时间的延长,C1s峰位向低结合能方向移动,1 h后移至285.40 eV.在溅射过程中,C1s的半高峰宽(FWHM)由最初的1.80 eV增加到2.20 eV.C1s峰的解叠结果表明经Ar离子溅射后,金刚石表面出现了石墨态碳,而且其含量随溅射的增强而增加.由于Ar离子的溅射,俄歇电子谱(XAES)也发生了明显的变化,XAES微分特征距离D值则由14.37 eV增加到19.34 eV,同时C的价带电子谱(VBS)金刚石特征消失,这些结果补充证明了Ar离子的溅射效应是诱导金刚石向石墨转化.最后讨论了溅射效应的机制.

关键词：金刚石、Ar离子溅射、XPS

所属期刊栏目：26

分类号：O793;O484(晶体物理化学过程)

在线出版日期：2004-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：46-49