氮化镓基IMPATT二极管电学特性模拟研究

摘要：

基于宽禁带半导体氮化镓材料,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二板管,并对其直流特性和高频特性进行了模拟研究.模拟结果显示该IMPATT二极管工作频率达到300GHz,输出功率为1.94W,直流-射频转换效率达到17.2％,结果表明氮化镓材料在太赫兹器件制造领域应用潜力巨大.

关键词：宽禁带半导体、氮化镓、IMPATT

所属期刊栏目：17

分类号：TN311(半导体技术)

在线出版日期：2018-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：16-19