镓砷磷半导体发光二极管中的少子陷阱

摘要：

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,首次研究了GaAs0.55P0.45红色发光二极管少子陷阱.结果表明,GaAs0.55P0.45红色发光二极管有一个少子陷阱;并对陷阱位置的真实值进行了详细计算,其激活能为0.11eV.

关键词：深能级、DLTS、少子陷阱

所属期刊栏目：8

分类号：TN312(半导体技术)

在线出版日期：2009-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：35-36,39