10.3969/j.issn.1671-4288.2004.02.007
γ辐照对GaP发光二极管深能级和亮度的影响
首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响.结果表明,γ射线辐照射后,Gap红色发光二级管中的Zn-0对的浓度增大,亮度也提高.
深能级、DLTS、发亮光度
4
O4711(半导体物理学)
2004-08-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
16-18
10.3969/j.issn.1671-4288.2004.02.007
深能级、DLTS、发亮光度
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O4711(半导体物理学)
2004-08-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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