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10.3969/j.issn.1671-4288.2004.02.007

γ辐照对GaP发光二极管深能级和亮度的影响

引用
首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响.结果表明,γ射线辐照射后,Gap红色发光二级管中的Zn-0对的浓度增大,亮度也提高.

深能级、DLTS、发亮光度

4

O4711(半导体物理学)

2004-08-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

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潍坊学院学报

1671-4288

37-1375/Z

4

2004,4(2)

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