10.3969/j.issn.1671-4288.2003.02.009
SH-C8H16-SH分子与金表面形成的分子线的伏安特性
我们从第一性原理出发利用弹性散射格林函数方法研究了SH-C8H16-SH分子和金表面形成的分子线的伏-安特性.计算结果显示,在零偏压附近,存在一个电流禁区,随着偏压的增加,分子线的电导呈现出平台特征.该工作将有利于未来的纳米电子学器件的设计.
化学吸附、分子线、分子电子学
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O441.5(电磁学、电动力学)
2006-05-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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