SiC BMFET开关特性的仿真研究

摘要：

研究了不同栅电流和负载类型的沟槽注入结构SiC BMFET的开关特性.仿真结果表明,栅区注入的少子集中分布在沟道区域,可以有效提升沟道区域的电导率,也有利于器件的快速开关.当栅电流为10 A/cm2时,器件的开态电阻比单极模式下降低了近30％,开关时间为1.76μs.当负载含电感时,与单极模式相比,双极模式下的开关时间并未明显延长,但电流和电压过冲小得多.

关键词：碳化硅、双极模式、场效应晶体管、开关特性

所属期刊栏目：46

分类号：TN322+.8(半导体技术)

资助基金：陕西省自然科学基金资助项目2015JM6357,2014JQ8344;中国博士后科学基金资助项目2013M542307;西安市科技局资助项目CXY1441-9

在线出版日期：2016-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：285-288