一种超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS

摘要：

提出了一种具有超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS器件.该器件在两个氧化槽中分别制作L型多晶硅槽栅.漏极n型重掺杂区向下延伸,与衬底表面重掺杂的n型埋层相接形成L型漏极.L型栅极不仅可以降低导通电阻,还具有纵向栅场板的特性,可有效改善表面电场分布,提高击穿电压.L型漏极为电流提供了低阻通路,降低了导通电阻.另外,氧化槽折叠漂移区使得在相同耐压下元胞尺寸及导通电阻减小.二维数值模拟软件分析表明,在漂移区长度为0.9μm时,器件耐压达到83 V,比导通电阻仅为0.13 mΩ· cm2.

关键词：LDMOS、槽栅、比导通电阻、击穿电压

所属期刊栏目：46

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61201094

在线出版日期：2016-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：277-281