一种D波段平行微带线90°相位反相器

摘要：

基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款D波段的并行微带线90°相位反相器,它由一个180°核心反相器和带有两个并列双地槽的平行微带线构成.采用两侧带有并列双地槽的平行微带线结构可以有效地改善该90°反相器的阻抗匹配和能量损耗,从而实现低的插入损耗、回波损耗和相位误差.通过3D建模和电磁场全波分析得到,该90°相位反相器的回波损耗S11的-20 dB带宽为116～218 GHz,基本覆盖了整个D波段,在155 GHz工作频率处S11可以达到-65 dB;插入损耗S21的-1 dB带宽为80～220 GHz,在155 GHz工作频率处S21可以达到-0.47dB;±5°相位误差带宽为150～163 GHz,在155 GHz工作频率处的相位误差为1.15°,非常适合于D波段的应用.

关键词：SiGe BiCMOS、90°反相器、低插入损耗、低回波损耗、3D模型

所属期刊栏目：46

分类号：TN433(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61204096,61404094;中央高校基本科研资助项目2042015kf0174,2042014kf0238;中国博士后科学基金资助项目2012T50688;湖北省自然科学基金资助项目2014CFB694;江苏省科学基金资助项目BK20141218

在线出版日期：2016-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：243-246