一种适用于SoC的瞬态增强型线性稳压器

摘要：

为满足SoC系统负载快速变化的要求,提出了一种新型摆率增强型片上LDO系统.通过增加有效的内部检测电路,使LDO的功率管栅极电压可以快速地响应输出负载跳变,提高电路响应速度.采用中芯国际40 nm CMOS工艺模型,对电路进行仿真.仿真结果表明,当LDO的负载电流以100 mA/μs跳变时,电路的最大上冲电压为110 mV,下冲电压为230 mV,恢复时间分别为1.45 μs和1.6 μs.同时,在2V电源电压下,电路的静态电流只有42 μA.

关键词：瞬态增强、线性稳压器、片上系统

所属期刊栏目：46

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家集成电路重大专项资助项目2009ZX02023-003;中国科学院先导性项目XDA09020402;国家自然科学基金资助项目61176122;国家重点基础研究发展计划资助项目2013CBA01900

在线出版日期：2016-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：211-214,223