一种L频段高线性度低噪声放大器的设计

摘要：

对低噪声放大器线性度提高的方法进行分析.基于导数交叠法,使两个晶体管偏置在不同区域,并利用这两个晶体管源端产生的相位差,抵消了3阶项电流.采用TSMC 90 nm CMOS 工艺,实现了一款L频段高线性度全差分低噪声放大器,测试得到输出3阶交调点达30.6 dBm,增益为14.54 dB,噪声系数为1.63 dB,功耗为45 mA@3.3 V.

关键词：低噪声放大器、线性度、3阶交调点、导数交叠

所属期刊栏目：46

分类号：TN432;TN722.3(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61201040,61301006;高等学校学科创新“引智计划”资助项目B14010

在线出版日期：2016-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：174-177