一种10位120 MS/s逐次逼近A/D转换器

摘要：

基于SMIC 65 nm CMOS工艺,设计了一种10位120 MS/s逐次逼近A/D转换器.电路为1.2V电源供电,采用基于单调转换方式的改进型低功耗D/A电容阵列,相比于传统电容阵列,功耗降低了91％.采用一级动态预放大加一级动态锁存器的动态比较器,以降低功耗和提高速度.设计了与电容阵列工作方式相结合的异步逻辑控制电路,以降低外部时钟设计难度,并在控制功耗的前提下提高速度.Spectre仿真验证结果表明,在采样频率为120 MHz,输入信号频率为60 MHz时,SFDR达到81.07 dB,有效位数大于9位,具有良好的动态性能.电路整体功耗约为600μW.

关键词：逐次逼近、模数转换器、电容阵列、无杂散动态范围

所属期刊栏目：46

分类号：TN432;TN79+2(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国电子科技集团青年创新基金资助项目JJ_QN_2013_30

在线出版日期：2016-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：155-158,164