SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究

摘要：

根据器件实际工作情况,找出SOI器件与传统器件的不同,建立并研究了SOI SiGeHBT集电结渡越时间模型.结果表明,模型与集电区掺杂浓度、集电结偏置电压、传输电流有关,电流的增加恶化了渡越时间,进一步恶化了器件性能.所建模型与仿真结果一致.SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型的建立和扩展为SOI BiCMOS工艺的核心参数,如特征频率的设计,提供了有价值的参考.

关键词：HBT、渡越时间、绝缘体上硅

所属期刊栏目：45

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国博士后科学基金资助项目2013M540732;陕西省自然科学基金资助项目2014JQ8344

在线出版日期：2015-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：681-684