深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应

摘要：

为了研究深亚微米工艺CCD的辐射效应特性,了解因器件特征尺寸变小引入的新效应,对0.18 μm商用工艺线上流片的不同沟道宽长比的N型沟道MOSFET器件进行了60 Co-γ射线辐照实验,这些NMOSFET与CCD内的MOSFET结构相同.分析了辐照后由于总剂量效应导致的NMOSFET参数退化情况以及参数的常温和高温退火行为.实验结果表明,深亚微米工艺器件的辐射耐受性相比大尺寸器件明显增强,不同沟道宽长比的器件表现出的总剂量效应差异显示了器件具有明显的窄沟效应,界面陷阱电荷在新型器件的总剂量效应中起主导作用.研究结果为大面阵CCD的辐射效应研究和辐射加固设计提供了理论支持.

关键词：深亚微米、NMOSFET、总剂量效应、窄沟效应

所属期刊栏目：45

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11005152

在线出版日期：2015-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：666-669