一种高线性度非对称单刀双掷开关的设计

摘要：

介绍了一种用于射频收发系统的16 GHz、低损耗、高隔离度、高线性度的非对称型单刀双掷开关.针对串联和并联晶体管尺寸对插入损耗及隔离度的影响、对称型和非对称型两种结构各自的特点,以及选择非对称结构的原因进行了分析.采用90 nm CMOS工艺实现,设计中采用深N阱MOS管,并在必要的节点加入交流悬浮偏置,提高开关整体性能.测试表明,Rx模式下,插损为0.77 dB,隔离度为22.9 dB,输入1 dB压缩点为9 dBm;Tx模式下,插损为2.14 dB,隔离度为20.2 dB,输入1 dB压缩点大于15 dBm.

关键词：射频集成电路、单刀双掷开关、非对称、高线性度

所属期刊栏目：45

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61201040,61301006;高等学校学科创新“引智计划”资助项目B1410

在线出版日期：2015-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：634-638