20 GHz压控振荡器的设计与实现

摘要：

基于TSMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款中心频率为20 GHz的压控振荡器.对压控振荡器的尾电流源噪声、交叉耦合MOS管尺寸、电感、调谐范围等诸多参数进行了性能优化.经流片后测试,该振荡器的输出频率覆盖范围为17.78～22.13 GHz,1 MHz处的相位噪声为-100 dBc,IV电压供压下的功耗为5.1 mW.

关键词：压控振荡器、高频、CMOS、性能优化

所属期刊栏目：45

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家高技术研究发展计划基金资助项目2011AA010405

在线出版日期：2015-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：577-580