10.3969/j.issn.1004-3365.2006.04.027
一种新型的指数曲率补偿带隙基准源
提出了一种新型的指数曲率补偿带隙基准源电路.该电路简单实用,相比一阶补偿带隙基准源,只需增加两只二极管和一只双极晶体管用于指数曲率补偿.运用0.6 μm的BiCMOS工艺模型仿真,在0~70 ℃温度范围内,一阶补偿的带隙基准源温度系数为22.8 ppm/℃;而运用文章提出的指数曲率补偿结构后,温度系数为7.8 ppm/℃.
带隙基准电压源、一阶补偿、指数曲率补偿
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金60436030
2006-09-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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