一种1.9 GHz高性能功率预放大器的设计

摘要：

介绍了一个基于0.35 μm CMOS 6层金属工艺,采用片外阻抗匹配网络的两级AB类功率预放大器.电路在3.3 V电源电压下工作,静态电流为18 mA.测得功率预放大器的功率增益为10 dB,最大有6 dBm输出功率到50 Ω负载.采用片上线性化技术,功率预放大器在1.9 GHz频率获得了很好的线性度:输出三阶截点OIP3＝9.4 dBm,输出1 dB压缩点OP1 dB＝-0.6 dBm.

关键词：CMOS、射频、AB类、功率预放大器、线性度

所属期刊栏目：36

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：488-491