LPCVD多晶硅薄膜缺陷的形成及消除措施

摘要：

描述了LPCVD多晶硅的常见缺陷及其分类.对缺陷产生的原因进行了分析,找出工艺设置和工艺操作过程容易出现的问题;并针对各类缺陷,提出了相应的解决措施,以达到完全消除缺陷,使工艺技术水平得到提升.

关键词：半导体工艺、低压化学汽相淀积、多晶硅、薄膜缺陷

所属期刊栏目：36

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：484-487