1.9 GHz CMOS低噪声放大器的结构分析与设计

摘要：

对低噪声放大器(LNA)的结构及性能进行了详细的分析.采用SMIC 0.18 μm射频CMOS工艺,设计了用于GSM1900无线接收机系统的两种不同结构的差动式LNA(电流复用式PMOS-NMOS LNA)和典型的NMOS LNA.利用Cadence-SpectreRFTM,对这两种结构的LNA进行了电路级仿真和对比分析.结果表明,在功耗相近时,PMOS-NMOS LNA能够提供比较大的电压增益,其噪声特性与NMOS LNA相近;NMOS LNA在线性度以及芯片面积上有更多的优势.

关键词：GSM、射频、低噪声放大器、线性度、阻抗匹配

所属期刊栏目：36

分类号：TN722.3(基本电子电路)

资助基金：上海市信息委/经委促进整机业与集成电路设计联动专项基金04-联专-004

在线出版日期：2006-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：220-224