基于CMOS工艺的低相位噪声LC压控振荡器

摘要：

介绍了一种用于锁相环型频率合成器的单片集成LC压控振荡器.该压控振荡器在传统的电路结构基础上进行了改进,在保证调谐范围的前提下,有效地降低了相位噪声.压控振荡器使用了片上集成螺旋电感,采用中芯国际(SMIC)0.35μm 1P6M混合信号CMOS工艺.测试结果表明,该压控振荡器的可调频率为3～3.55 GHz,在3.55 GHz中心频率附近的相位噪声达到-128 dBc/Hz(600 kHz),整个压控振荡器的工作电压为3.3 V,工作电流为13 mA.

关键词：电感电容压控振荡器、相位噪声、频率合成器

所属期刊栏目：36

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2006-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：205-208