一种5位10 GHz SiGe BiCMOS比较器

摘要：

SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的异质结晶体管(HBT),其ft超过70 GHz,β＞120,并具有高线性、低噪声等特点,非常适合高频领域的应用.基于SiGe BiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器.该电路由宽带宽前置放大器和改进的主从式锁存器组成,采用3.3 V单电压源,比较时钟超过10 GHz,差模信号电压输入量程为0.8 V,输出差模电压0.4 V,输入失调电压约2.5 mV;工作时钟10 GHz时,用于闪烁式A/D转换器可以达到5位的精度.

关键词：SiGe、BiCMOS、异质结晶体管、全差分、比较器

所属期刊栏目：36

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国科学院资助项目60476046;国家部级科研项目51408010304DZ0140

在线出版日期：2006-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：192-196