多晶硅薄膜高温退火特性研究分析

摘要：

利用原子力显微镜、二次离子质谱分析仪和探针,对多晶硅薄膜的高温退火特性进行了实验研究.研究结果表明,多晶硅薄膜退火时出现的第二次反退火阶段,其物理起因是由于注入杂质在薄膜中的再分布;而在更高退火温度下,多晶硅薄膜会出现晶粒再结晶和再结晶弛豫过程,这些过程都会影响多晶硅薄膜的薄层电阻.

关键词：多晶硅薄膜、高温退火、反退火

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2006-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：167-170