全耗尽SOI LDMOS击穿电压的分析

摘要：

SOI技术已经成功地应用到功率集成电路中,击穿电压是功率器件一个重要的参数.文章分析了SOI LDMOS的击穿电压与漂移区掺杂浓度的关系,并计算了击穿电压.文中首先定义出漂移区临界掺杂浓度,然后分别给出了实际掺杂浓度高于和低于临界掺杂浓度的击穿电压计算公式.计算结果与文献中给出的数值相吻合,证明了模型的正确性.

关键词：SOI、LDMOS、击穿电压

所属期刊栏目：36

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目60276042;国家科技攻关项目2003AA1Z1400

在线出版日期：2006-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：159-161