UHV/CVD生长本征硅外延层的研究

摘要：

在微波双极型晶体管中,收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素.普通的常压外延难以生长出杂质浓度变化陡峭的薄外延层.文章利用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)系统SGE500,在N型(掺As)重掺杂衬底上进行了薄本征硅外延层生长规律的研究;并采用扩展电阻(SPR)、原子力显微镜(AFM)、双晶衍射(DCXRD)等方法,对外延层的质量进行了评价.采用该外延材料制作的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)器件击穿特性良好.

关键词：超高真空化学气相淀积、锗硅器件、异质结双极型晶体管、本征硅外延

所属期刊栏目：36

分类号：TN304.054(半导体技术)

在线出版日期：2006-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：132-135