阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF结构耐压机理研究

摘要：

研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF(Reduce SURface Field)结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响;发现并解释了该结构纵向击穿时,耐压与浓度关系中特有的"多RESURF平台"现象.研究表明,阶梯变掺杂漂移区结构能明显改善表面电场分布,提高耐压,降低导通电阻,增大工艺容差;利用少数分区,能得到接近线性变掺杂的耐压,降低了工艺难度.

关键词：SOI、RESURF结构、阶梯变掺杂、耐压机理

所属期刊栏目：36

分类号：TN403(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国科学院资助项目10075029

在线出版日期：2006-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：125-128