CMOS结构中的闩锁效应

摘要：

本文较为详细地阐述了体硅CMOS结构中的闩锁效应,分析了CMOS结构中的闩锁效应的起因,提取了用于分析闩锁效应的集总组件模型,给出了产生闩锁效应的必要条件与闩锁的触发方式.通过分析表明,只要让CMOS电路工作在安全区,闩锁效应是可以避免的,这可以通过版图设计规则和工艺技术,或者两者相结合的各种措施来实现.本文最后给出了防止闩锁效应的关键设计技术.

关键词：闩锁效应、寄生双极型晶体管、集总组件模型、版图设计

所属期刊栏目：31

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：19-21