多层金属化中的钨插塞技术

摘要：

本文介绍了亚微米ULSI工艺中,采用钨插塞(Tungsten Plug)制作接触孔与通孔的技术,对于WCVD、W Etchback及其常见工艺问题作了一些分析,此项技术已经用于C05电路的工艺流片.

关键词：钨插塞(Tungsten Plug)、台阶覆盖(Step Coverage)、覆盖式钨淀积(Blanket WCVD)、钨反腐(W Etchback)、粘着层(Glue layer)

所属期刊栏目：31

分类号：TN405.98+6(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：13-15