期刊专题

单电子晶体管的制备、集成与电路研究

引用
我们制备出了高温Si单电子晶体管,研究了单电子晶体管的集成原理,实现了14个单电子晶体管的串联集成和2个单电子晶体管的并联集成.同时也研究了单电子晶体管与传统高迁移率晶体管的集成方法和技术,发现可用单个电子来调控传统晶体管的栅对源漏极电流的控制能力(跨导),利用单电子晶体管的集成方法,建立了对电荷超敏惑的探测技术(包括超敏感的库仑计),实现了单电子存储器中的单电子过程的探测,并设计了一种新型的多值存储器.

单电子晶体管、单电子存储器、多值存储器

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TN710.2(基本电子电路)

国家重点基础研究发展计划973计划G2001CB3095;国家自然科学基金69925410,19904015

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

6-10

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微电子技术

1008-0147

32-1479/TN

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2002,30(5)

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