改用离子注入替代外延生产话筒管
结型场效应晶体管,长期来几乎都是采用外延扩散法工艺.随着微电子技术发展,半导体生产的离子注入设备及工艺相继推出,离子注入工艺越来越成熟.本文介绍了应用离子注入替代外延扩散制造话筒管的工艺概况.
离子注入、驻极体、话筒管
30
TN305.3(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
62-64
离子注入、驻极体、话筒管
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TN305.3(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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