离子注入中的沟道效应控制

摘要：

离子注入中的沟道效应使注入离子在深度上的控制变得很困难,并使SHEET值的均一性恶化.本文借助计算机模型,对注入剂量、注入能量、硅片基板方位、硅片表面薄膜氧化层厚度变化时,研究分析了注入沟道效应的相应变化.

关键词：离子注入、沟道效应、计算机模型、SHEET电阻、均一性、控制

所属期刊栏目：30

分类号：TN305.3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：36-40