硫酸根离子敏感半导体器件的研究

摘要：

本文报导一种基于四苯硼钠的离子敏感半导体器件.该器件的线性响应范围为1.0×10-1-1.0×10-3mol/L,斜率为32ml/pc(13℃),检测下限为6.0×10-4mol/L.适宜的PH范围为4-4.6.

关键词：离子敏感场效应晶体管、NaTPB、硫酸根

所属期刊栏目：30

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：陕西省教育厅资助项目00JK128

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：24-26