MOS集成电路ESD保护技术研究
重点论述了ESD失效模式失效机理和MOS集成电路ESD保护电路
静电放电、失效机理、ESD保护电路、栅耦合技术、共用放电线
30
TN433(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
24-28
静电放电、失效机理、ESD保护电路、栅耦合技术、共用放电线
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TN433(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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