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用MOCVD和快速热处理工艺制备钛酸铋铁电薄膜

引用
采用MOCVD工艺,制备非晶态Bi4Ti3O12薄膜,然后经过快速退火处理,制备高度择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜,运用X射线衍射术分析薄膜材料的结构,X射线显微分析仪测量薄膜材料的组份,并通过电滞回线的测量,研究快速退火对Bi4Ti3O12薄膜结构和电性能的影响.

MOCVD、XRD、快速退火、铁电薄膜

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TM22+3(电工材料)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

16-19,28

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微电子技术

1008-0147

32-1479/TN

30

2002,30(1)

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