抑制0.1μmCMOS反向窄沟道效应新技术
目前,NEC首次采用抑制过度加速扩散法抑制0.1μmCMOS反向窄沟道效应. 在低电源电压化、高集成化进展的先进LSI中,晶体管的微细化是最重要的课题.但是,下二代0.1μm级CMOS LSI技术中问题之一是:当MOS晶体管的沟道宽度缩小时,就产生晶体管阈值电压低下的反向窄沟道效应现象. NEC首次采用实验和模拟分析此现象.表明其原因是制作工艺中产生的晶体管沟道区域内的杂质过度增速扩散(TED)造成的异常扩散所致.NEC近而证实:抑制此反向窄沟道效应的新方法是:”进行对MOS晶体管工艺热处理工序中高速升温的高温短时间退火,以及氮离子注入形成势垒.近而降低此过度增速扩散,有效抑制反向窄沟道效应. 此项技术在0.1μm级CMOS LSI制作中,为高精度控制杂质所必需的技术.(康顺)
沟道效应、晶体管、增速扩散、技术、高精度控制、低电源电压、氮离子注入、制作工艺、杂质、阈值电压、模拟分析、沟道宽度、处理工序、中高速、新方法、微细化、扩散法、集成化、工艺热、退火
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TN3;TN4
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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