深亚微米集成电路工艺中铜金属互联技术

摘要：

本文介绍了铜互联技术在深亚微米半导体工艺中的应用,重点介绍了铜金属互联技术中的关键工艺,包括在器件中采用铜金属互联线以降低互联延迟,大马士革(Damascene)结构微细加工工艺,物理汽相淀积(PVD)技术制备铜扩散阻挡层(Barrier)和铜子晶层(Cu-seed),铜金属层化学电镀技术(Electroplating),对铜金属互联工艺集成方面的要点也作了一些探讨.

关键词：铜、大马士革结构、物理汽相淀积、铜阻挡层、铜子晶、电镀

所属期刊栏目：29

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-7