高压大电流VDMOS研究

摘要：

本论文主要介绍高压大电流VDMOS功率晶体管的研制.这次研制的VDMOSFET,设计耐压高达600V,导通电流达到8A,导通电阻为1Ω.设计中,按照要求 ,确定外延层浓度和厚度;芯片元胞结构参数,阱掺杂浓度;器件边缘保护环,场极板参数 .在大量参阅国内外资料的基础上,我们提出新的芯片元胞设计方案,由此确定的垂直电流区宽度比以往方案缩小一个数量级,大大节约芯片面积,成功实现了把大约二万个元胞集成在一块芯片上.同时,在器件边缘终端结保护环设计中提出新思路,提高了器件可靠性,并有效减少芯片面积.

关键词：VDMOS、元胞、外延层、场限环

所属期刊栏目：29

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：22-26