光波干涉测量结深
在半导体芯片制造过程中,结深是重要的工艺参数之一.本文介绍用光波干涉法测量结深,操作简便,精度高,特别对10μm以下的结深测量,有其独到的优越性.
结深、光波干涉、干涉条纹、波长(λ)
29
TN252(光电子技术、激光技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
25-28,41
结深、光波干涉、干涉条纹、波长(λ)
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TN252(光电子技术、激光技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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