高频、高压晶体管设计与制造工艺研究
本文介绍了高频、高压双极型晶体管的一种设计结构和制造工艺.用该设计与工艺做出了耐压大于200V、fT大于200MHz的产品.
特征频率、基区宽度、结电容、栅环
29
TN323+.2(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
16-18
特征频率、基区宽度、结电容、栅环
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TN323+.2(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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