Cree公司研制成第一个40W GaN MMIC放大器
Cree公司研制成工作频率10GHz的GaN HEMT，脉冲RF功率为40W。该器件可用于混合放大器，12mm器件的特点：PAE为20%，功率密度为3.39W/mm。不久前在康奈大学的会议上宣布最新的结果，Cree公司宣称，这种晶体管提供的功率比任一GaAs器件高2.5倍之多，该公司以前报道的结果，在10GHz下，器件提供的脉冲功率为15W。 Cree已报道GaN MMIC，生长在半绝缘SiC衬底上，初步结果是：在94GHz下，脉冲RF功率为20W，增益为14dB，PAE为20%。 Cree公司坚信，GaN MMIC表志着高性能宽带隙MMIC基放大器新时代来到，并期待功率和带宽方面更好的其他半导体。 Cree公司研制的GaN分立器件和MMIC的目标是高频(5～35GHz)商业宽带通信应用，以及军用雷达和通信应用。该公司的GaN混合和MMIC放大器分别受到空军研究实验室和海军研究实验室的特别关注。 (一凡)
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2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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