新开发的千兆位级DRAM用高介电常数膜成膜装置
为制成千兆位级DRAM，人们期望可实现单元电容器微细化的高介电常数膜材料。为此，开发了SiO2，膜/氮化膜、Ta2O5膜等。而且，也期待开发高介电常数电容器材料——钛酸钡锶氧化膜(BST：(BaSr)TiO3)成膜技术。 此时，NEC便开发了低温成膜和台阶覆盖性良好的ECR—CVD法形成的BST成膜装置。开发的装置特点如下：(1)Ba、Sr、Ti各种材料为挥发性金属化合物，Ba、Sr采用decatnate系络合物材料；Ti采用醇盐系材料。靠着精密原料输送系统的温控可控制原料化合物的蒸气压，进而控制原料输送量。(2)靠用磁场下的微波吸收(ECR：电子回旋加速器共鸣)激励电子运动，在BST成膜中采用了已等离子体活性化的氧气体，所以可在500℃低温下形成结晶化BST膜。在BST成膜后，则不需要为结晶化所需的热处理，所以对整个电容成膜工艺低温化有效。(3)靠(1)中所述的高度控制原料输送量技术，使成膜重复性良好。另外，靠气体源均匀供给和磁场形成的氧等离子体可获得均匀性极佳的BST膜。今后，装置也将进一步改进，并计划更大力度改进DRAM用高介电常数膜成膜技术。(康顺)
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TP3;TN9
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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