新型功率混合集成电路材料——氮化铝(AlN)
本文主要介绍了AlN的成瓷工艺,金属化方法、特性及在新型电子元器件中的应用示例,AlN在功率电子领域有望取代BeO,成为本世纪大量应用的主导电子材料。
AlN、金属化、功率电路
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TN304.2(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
46-49
AlN、金属化、功率电路
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TN304.2(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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