NEC新开发的0.25μm ASIC
NEC最近开发了完全适用于片上系统(SOC：System on Chip)需求的、采用最先进的0.25μm(有效栅长为0.18μm)CMOS工艺技术制作的ASIC—CB-C10系列基本单元IC和EA-C10系列内部阵列(embedded array)。 CB-C10系列特点如下：(1)最多搭载门数为2000门。(2)低功耗：功耗为0.04μW门；MHz(电源电压：2.5V)，与NEC原制品相比，降低约80%。(3)高速工作：倒相器(F101)的时延为23ps(电源电压：2.5V、扇出：1)，触发频率为1.6GHz。工作速度(时钟速度)可达到300MHz。(4)布线层：备有3～5层。也预备了为倒装片BGA封装凸点用的第6层。(5)主存储Line nappe 32/64位RISC CPU (V8××，VR4×××)、16位CPU(V30MZ)、DSP、高速乘法器、PLL、直接RAC、CPU外围主存储器，位、字可变RAM*ROM、模拟主存储器(ADC/DAC)等。RAM单片最多可搭载10M位。(6)接口：3.3V/2.5V标准CMOS I/O、LVTTL、GTL、GTL+、HSTL、LVDS、PCI(3V)、SSTL、P-ECL、IEEE1394、USB、AGP等。(7)封装：为表面安装型、散热性好的BGA(TBGA，2M-BGA)，适于高速大功率的倒装片BGA。(8)不同种类工艺的主存储器搭载：采用工艺集成，正在开发制作不同工艺的主存储器(大容量存储器等)。(9)设计环境：采用“Open CAD V5，完全支援从功能设计到布局设计。 另外，EA-C10系列可共用主存储器Line nappe，输入/输出接口，封装，实现更加高速工作和短TAT。 上述0.25μm ASIC在实现了高速，低功耗工作的同时，已成为进入真正的片上系统世界的制品。 今后，为了实现更低功耗，备齐了1.8V(电源电压)程序库。另外，力争与用户需求及市场变化，国际标准动向一致。(嘉明)
主存储器、电源电压、低功耗、片上系统、工艺、封装、倒装片、搭载、高速乘法器、表面安装型、制品、用户需求、输出接口、时钟速度、设计环境、开发制作、技术制作、基本单元、国际标准、功能设计
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TP3;TN4
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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