音响用低压大电流器件功率容量研究
本文介绍了一种提高晶体管二次击穿耐量的方法,并从理论上作了探讨。
功率容量、二次击穿、等效镇流电阻
29
TN32.1(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
36-38
功率容量、二次击穿、等效镇流电阻
29
TN32.1(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
36-38
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn