低温低压氧化工艺对PERC单晶硅太阳电池性能影响的研究

摘要：

以采用低温低压氧化工艺的P E R C单晶硅太阳电池为研究对象，将在(600～700 ℃低温段、200 mbar低压条件下制备的二氧化硅层作为PERC单晶硅太阳电池发射极表面的钝化层，并对该种太阳电池与未采用氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池的性能进行测试及对比。测试结果显示：采用低温低压氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池与未采用氧化工艺的PERC单晶硅太阳电池相比，光电转换效率可提高0.64%，方块电阻可增加8.3 ?/□，少子寿命可提高59.76 μs，开路电压和短路电流可分别提高0.01080 V和0.13 A。由此可知，低温低压氧化工艺是提高PERC单晶硅太阳电池光电转换效率的有效途径。以期可为更高效PERC单晶硅太阳电池的制备提供参考。

关键词：PERC单晶硅太阳电池、低温低压、氧化工艺、钝化层、二氧化硅

分类号：TM914.4+1

资助基金：国家重点研发计划2018YFB1500503

在线出版日期：2022-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：68-73