低频PECVD设备沉积的AlOx/SiNx钝化膜的性能研究

摘要：

对低频PECVD设备沉积的应用于PERC太阳电池上的AlOx/SiNx钝化膜的性能进行了研究.通过少子寿命测试发现,低频PECVD设备直接沉积的AlOx/SiNx钝化膜的钝化性能较弱,载流子复合严重;利用傅里叶红外光谱(FTIR)对造成该现象的原因进行了分析,结果发现,一是因为Si-AlOx界面无足够的氧化层,二是因为AlOx膜层内的Al-O四面体结构占比偏小.通过在低频PECVD设备沉积AlOx膜后通入N2O/NH3气体进行等离子体表面处理工艺,抑制了表面的载流子复合,显著改善了AlOx/SiNx钝化膜的钝化性能,使小批量生产的PERC太阳电池的平均转换效率达到了22.48％.

关键词：低频PECVD设备、氧化铝、少子寿命、等离子体表面处理、钝化、太阳电池

分类号：O472+.8(半导体物理学)

资助基金：湖南省创新型省份建设专项2019TP2048

在线出版日期：2020-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：55-59