管式PECVD设备多晶硅镀膜均匀性的改善研究

摘要：

为改善多晶硅片在管式PECVD设备中的镀膜均匀性,主要从镀膜工艺参数的设定、硅片制绒面反射率及石墨舟状态这3个方面进行了镀膜均匀性研究.结果表明:在保证良率的前提下,当外层压力为1700 mTorr、内层氮硅比为4.487、射频功率为7600 W时,调节直接链接变量(DLV)优化石墨舟各区温度且定期清理腔体内部的碎片可改善镀膜均匀性;在一定范围内,制绒面反射率增加,片内均匀性更优;新石墨舟对镀膜均匀性有明显改善,在使用周期内,运行30次时均匀性达到最优.

关键词：多晶硅、管式PECVD、镀膜均匀性、改善

分类号：TN304;TP309.2;U231.9+2

在线出版日期：2019-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：43-47