2017年我国光伏技术发展报告(4)

摘要：

3.5砷化镓薄膜太阳电池的研究进展
3.5.1砷化镓薄膜太阳电池的发展概况
砷化镓是继硅之后应用较为广泛的半导体材料之一,自上世纪70年代就开始了其在光伏应用领域的开发.以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池具有效率高、抗辐照性能好、耐高温和可靠性好的特点,正符合空间环境对太阳电池的要求.目前,GaAs基系太阳电池在空间科学技术领域正逐渐取代晶体硅太阳电池,成为空间能源的主力.计算表明,多结叠层电池的极限效率在一个太阳光强下可达65.4％,在大聚光(约46200倍)下可达85.0％[71].近几年来,高效多结叠层聚光Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池有了长足的发展,高效率已达到46.5％[72].

机标关键词：技术发展、光伏技术、发展报告

分类号：F124.3;TM914.4;F4

在线出版日期：2019-01-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：9-14