硅基薄膜太阳电池(六)

摘要：

下面分别对a-SiC:H、a-SiO:H和a-SiGe:H三种合金材料进行介绍.
(1)非晶硅碳(a-SiC:H)合金
硅烷(SiH4)或乙硅烷(Si2H6)和甲烷(CH4)或乙烯(C2H4)等气源在等离子放电环境中,将发生化学反应生成非晶硅碳合金(a-SiC:H).它主要通过掺杂获得p型的a-SiC:H,用作硅基薄膜叠层太阳电池的顶电池窗口层.根据使用气源性质的不同,在相同沉积条件下获得膜中的C含量与在气体中的含C气源流量比并不相同,反映了含C气源分解反应的难易程度.

机标关键词：硅基薄膜太阳电池

分类号：TM914.4;TM205.1;TB383

在线出版日期：2012-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：17-19