硅基薄膜太阳电池(二)

摘要：

2掺杂问题掺杂是决定材料和器件电学性能的关键之一，希望材料的电导特性能够有序调制,即能够按照需要调节导电类型及其电导率,以满足器件性能要求.在晶体硅器件中,它的基本材料是事先预定的,随后掺杂形成的p-n结,也有成熟的工艺予以调制,因此器件的重复性可得到保证.但在薄膜硅基器件中,器件的形成伴随着材料的生长同步完成.因此其变数在各层材料形成的过程中,加之硅基薄膜材料多采用气相沉积工艺,而气相沉积的放电过程伴随着大量电子和离子的碰撞过程,其很难予以精确调控,这也给薄膜电学特性的控制带来困难.

机标关键词：硅基薄膜太阳电池

分类号：TM914.4;TM205.1;TB383

在线出版日期：2012-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-16