高效薄膜硅/晶体硅异质结电池的研究

摘要：

@@ 一引言
用薄膜工艺在晶体硅衬底上制备非晶、纳米晶薄膜,可获得异质结电池,该类电池有以下优点:
(1)材料消耗少;晶硅片厚度≤200μm,通常晶硅电池厚度为350μm;
(2)工艺周期短:用常规射频PECVD(等离子体增强化学气相沉积)或HWCVD(热丝增强化学气相沉积)法及溅射工艺,小于60分钟可完成一片样品的制备,而传统晶体硅电池仅扩散工艺就需1小时;

机标关键词：异质结电池、薄膜硅、晶体硅

分类号：TM91

在线出版日期：2006-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：40-41